特許

J-GLOBAL ID：200903016515414460

半田バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 石川 夏也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-211861
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026056
出願日： 2000年07月12日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 ICチップに良好な半田バンプを安価に形成できる半田バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 ウエーハ1に形成した耐熱性の低い安価なフォトレジスト5に開口部6を形成し、この開口部6に充填した半田ペースト9のみをレーザ光16によって局部的に加熱して半田バンプ10を形成する。これにより、高精度に形成された開口部6内に所定量の半田バンプ10をばらつきなしに形成できると共に、安価なフォトレジストの使用により、低コストな半田バンプの形成方法を提供できる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハにフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを所定パターンに露光する工程と、前記フォトレジストを現像して前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、前記開口部に半田材料を供給する工程と、前記開口部内の前記半田材料のみを加熱熔融して球状化し、半田バンプを形成する工程とを有する、半田バンプの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 E ,  H01L 21/92 604 S

Fターム (1件)：

5F044QQ04