特許
J-GLOBAL ID：200903016515663400
縦型電界効果トランジスタとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338445
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177086
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 トレンチ型電界効果トランジスタの同一耐圧下での,オン抵抗低減限界をより低抵抗化し,同一チップサイズにおいて現行のトレンチ型電界効果トランジスタと比較し,より低抵抗の素子を提供する。【解決手段】 トレンチ1直下且つ低濃度エピ層5の内部且つチャネル拡散層3外部に位置し,低濃度エピ層と同導電性を有する島状の高濃度領域7を形成する。オン時には電流が,トレンチ直下を流れるため,トレンチ直下に位置し且つ低濃度エピ層の内部に位置する,低濃度エピ層と同導電性を有する島状の高濃度領域を形成することにより,パンチスルー耐圧及びアバランシェ耐圧のどちらの耐圧へも大きく影響を与えることなく,オン抵抗低減を実現できる。従って,トレンチ型電界効果トランジスタの同一耐圧下での,オン抵抗低減限界をより低抵抗化し,同一チップサイズにおいて現行のトレンチ型電界効果トランジスタと比較し,より低抵抗の素子を提供する。
請求項（抜粋）：
チャネル部分をトレンチ構造にて形成する縦型電界効果トランジスタにおいて、トレンチ直下且つ,低濃度エピ層内部且つ,チャネル拡散層外部に位置し,低濃度エピ層と同導電性を有する島状の高濃度領域を有することを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 652 G
, H01L 29/78 653 A
