半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-020583
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223644
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】素子活性領域のみのシリコンバルク中の無欠陥化を行うとともに、バーズビークによる種々の影響を緩和することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板表面に、選択酸化法によりフィールド酸化膜を形成した後に、上記フィールド酸化膜をマスクとして、水素含有雰囲気中において熱処理を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に、選択酸化法によりフィールド酸化膜を形成した後に、上記フィールド酸化膜をマスクとして、水素含有雰囲気中において熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/324 , H01L 21/76 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/324 X , H01L 21/76 M , H01L 21/94 A

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