特許

J-GLOBAL ID：200903016529438833

窒化物半導体基板及びその製造方法

発明者： 成田 准也 ,  山田 孝夫 ,  前川 仁志 ,  清久 裕之 ,  小崎 徳也
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-071933
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100579
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 結晶性に優れたELOG成長基板を提供すること。【解決手段】 周期的なストライプ状、島状又は格子状に形成された成長核から成長して、成長核同士の略中央において互いに接合して基板全面を覆った窒化物半導体層を有するELOG成長基板において、波長365nmにおけるカソードルミネセンス観察において、成長核同士の間に観察される強発光領域であって、成長核の両端近傍から斜め上方に進行する境界線と窒化物半導体層の底面とによって囲まれた強発光領域を、基板表面に露出させる。露出は、(a)基板表面の研磨やエッチング、(b)横成長時の成長条件を2段階に変化させる、(c)横成長工程の途中において成長核の上方に保護膜を形成する等の方法により行うことができる。

請求項（抜粋）：

周期的なストライプ状、島状又は格子状に形成された成長核から成長して、前記成長核同士の略中央において互いに接合して基板全面を覆った窒化物半導体層を有する窒化物半導体基板であって、波長365nmにおけるカソードルミネセンス観察において、前記成長核の間に位置し、前記成長核上面の端部近傍から上方に進行する境界線を有する強発光領域が、基板表面に露出していることを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

Fターム (29件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE30 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045GH09 ,  5F045HA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA21 ,  5F073EA28