特許
J-GLOBAL ID：200903016532065959
トレンチ形ショットキー整流器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-557078
公開番号（公開出願番号）：特表2003-522413
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2003年07月22日
要約：
【要約】トレンチ形ショットキー整流器(1a、1b、1c)の内部トレンチ(11)は、ショットキー電極(3)がドリフト領域(4)とショットキー障壁43を形成する複数の整流器部分(43a)の境界となる。周囲トレンチ(18)は、この複数の整流器部分(43a)の外周のまわりに延びる。これらのトレンチ(11、18)は、ショットキー電極(3)に接続されているそれぞれの内部フィールド電極(31)および周囲フィールド電極(38)を収容する。内部フィールド電極(11)は、内部トレンチ(11)に沿って並ぶ誘電体材料(21)を介してドリフト領域(4)に容量的に結合されている。周囲フィールド電極(38)は、いずれの外側の壁(18b)に対しても作用することなく、周囲トレンチ(18)の内側の壁(18a)の誘電体材料(28)を横切って容量的に結合されている。さらに、内部および周囲トレンチ(11、18)は、狭い間隔をおいて配置され、ドリフト領域(4)の中間部分(4a、4b)は低濃度にドーピングされている。間隔は非常に狭く、さらにドーピングは非常に低いので、整流器の阻止状態で、ショットキー障壁(43)および電界緩和領域(31、21;38、28)からドリフト領域(4)に形成される空乏層(40)は、降伏電圧の直ぐ下の阻止電圧で、トレンチ(11、18)の間の中間部分(4a、4b)全体を空乏にすることができる。この配列により、空乏層(40)内の、特に整流器部分(43a)のアレイの周囲の、高電界点で起こり得る早すぎる降伏の危険が減少する。
請求項（抜粋）：
第1の主電極と第2の主電極の間に一導電型の本体部分を有し、前記第1の主電極が前記本体部分の第1の表面の複数の整流器部分で前記本体部分とショットキー障壁を形成する半導体本体と、前記第1の表面から前記本体部分の中に延びるトレンチのパターンとを具備してなるショットキー整流器であって、 前記パターンが、各整流器部分の境界となる内部トレンチと、前記複数の整流器部分の外周を取り囲んで延びる内側の壁を有する周囲トレンチとを備え、前記トレンチが、前記第1の主電極に接続されているフィールド電極を収容し、前記フィールド電極が、前記本体部分内に電界緩和領域を設けるように、前記トレンチに沿って並ぶ誘電体材料を介して、前記本体部分に容量的に結合され、空乏層が、前記整流器の阻止状態で、前記ショットキー障壁および前記電界緩和領域から前記本体領域の中に形成されるショットキー整流器であって、前記周囲トレンチ内の前記フィールド電極が、前記周囲トレンチの前記内側の壁の誘電体上に存在し、且ついずれの外側の壁に対しても作用することなく、前記内側の壁を横切って容量的に結合されていること、および前記内部トレンチおよび周囲トレンチが十分に狭い間隔をおいて配置され、さらに前記本体部分の中間部分が十分に低濃度にドーピングされて、前記整流器の阻止状態で、前記本体部分内に形成される空乏層が、降伏電圧よりも小さい電圧で、前記トレンチの間の前記本体部分の中間部分全体を空乏にすることを特徴とする、ショットキー整流器。
IPC (2件)：
Fターム (6件)：
4M104BB14
, 4M104BB22
, 4M104CC03
, 4M104FF01
, 4M104FF10
, 4M104GG03
