特許
J-GLOBAL ID:200903016533211576

スパッタリング装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 純之助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-020284
公開番号(公開出願番号):特開平8-218167
出願日: 1995年02月08日
公開日(公表日): 1996年08月27日
要約:
【要約】【構成】 ターゲット11を設置する第1の電極12と、基板13を設置する第2の電極14と、それらの間にコイル状の第3の電極15を有するスパッタリング装置において、コイル状の第3の電極15を該電極により発生したプラズマから遮蔽する遮蔽物18を設ける。【効果】 コイル状電極を構成する金属原子の堆積膜内への混入を防止し、高純度の薄膜を堆積できる。
請求項(抜粋):
ターゲットを設置する第1の電極と、基板を設置する第2の電極と、前記第1の電極と第2の電極との間にコイル状の第3の電極を有するスパッタリング装置において、前記コイル状の第3の電極を該電極により発生したプラズマから遮蔽する遮蔽物を有することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件):
C23C 14/34 ,  C23C 14/42 ,  H01L 21/203
FI (3件):
C23C 14/34 T ,  C23C 14/42 ,  H01L 21/203 S

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