特許

J-GLOBAL ID：200903016540835704

酸化物半導体単結晶基板を用いた素子

発明者： 磯崎 隆司 ,  渡部 雅夫 ,  梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093859
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 酸化物半導体単結晶を基板として用いた素子において、酸化耐性に優れ、寿命が長いオーミック電極を備えた素子を提供する。【解決手段】 不純物元素としてNbを0.5重量%ドープしたSrTiO3(100)単結晶基板(以下、NST基板と称す。)10上に、InとAuとの重量比が90:10のIn-Au合金から構成した一対の電極12a、12bを所定距離離れた位置に形成した。

請求項（抜粋）：

酸化物半導体単結晶基板に、酸化耐性が高く、かつ、酸化物半導体単結晶基板とオーミック接合する合金を電極として直接形成してなる酸化物半導体単結晶基板を用いた素子。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/203 Z

Fターム (17件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104GG16 ,  4M104GG20 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103DD28 ,  5F103HH03 ,  5F103RR07