半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087131
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288401
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】ホットキャリアによるデバイス劣化を抑制する。【構成】内部回路のトランジスタβのドレイン領域9はn- 領域4とn+ 領域8とで形成され、ソース領域10はn- 領域4とn+ 領域8とn型不純物追加注入領域6とで形成される。また、ESDに対する保護用トランジスタαのソース領域11およびドレイン領域12はn- 領域4とn+ 領域8とn型不純物追加注入領域6とで形成される。従って、ESDに対する保護用トランジスタαおよび内部回路のトランジスタβは共にLDD構造を採用しているため、ホットキャリアによるデバイス劣化を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

内部回路と外部端子の間に静電気放電から内部回路を保護する保護回路を備え、外部端子に印加された静電気を放電させる半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H02H 7/20 , H03K 19/0948 , H05F 3/02

FI (5件)：

H01L 27/08 321 H , H02H 7/20 F , H05F 3/02 L , H01L 29/78 301 K , H03K 19/094 B

前のページに戻る