特許

J-GLOBAL ID：200903016542137222

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 江崎 孝之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148338
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316484
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの平面的な占有面積を増加させることなくオン/オフ電流比を高めると共に能動ゲートの機能を電気的に制御可能にする。【構成】 SiO2 膜35を介して多結晶Si膜33を覆っている多結晶Si膜36に高濃度領域42、43及び低濃度領域44を形成し、SiO2 膜45を介して多結晶Si膜36を覆っている多結晶Si膜46にソース領域52、ドレイン領域53及びチャネル領域54を形成する。このため、多結晶Si膜33を高くすることによってチャネル長を長くすることができ、多結晶Si膜36の仕事関数を多結晶Si膜33で電気的に制御することが可能である。

請求項（抜粋）：

第1ゲート絶縁膜が第1ゲート電極を覆っており、半導体膜から成る第2ゲート電極が前記第1ゲート絶縁膜を覆うと共に前記第1ゲート電極の側方へ広がっており、第2ゲート絶縁膜と半導体薄膜とが前記第2ゲート電極上に順次に積層されており、前記半導体薄膜のうちで前記第1ゲート電極の側面に対向している部分がチャネル領域になっており、前記半導体薄膜のうちで前記第1ゲート電極上の部分及び前記第1ゲート電極の側方へ広がっている部分の一方及び他方が夫々ソース領域及びドレイン領域になっており、前記半導体膜のうちで前記ドレイン領域及びこのドレイン領域に連なる前記チャネル領域の一部に対向している部分と前記ソース領域に対向している部分とが相対的に高濃度の不純物領域になっており、前記半導体膜のうちで前記相対的に高濃度の不純物領域同士の間の部分が相対的に低濃度の不純物領域になっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。