特許
J-GLOBAL ID：200903016545778091
半導体のスタック方法及びその方法によりスタックした半導体を用いる半導体パッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
杉山 一夫
, 岩田 克子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-027445
公開番号（公開出願番号）：特開2009-188234
出願日： 2008年02月07日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：
【課題】従来のワイヤをもって各外部接続端子間を一個一個接続する手間と時間を不要とし、作業能率の大幅な向上を図る。【解決手段】先ず、半導体ウエハ3をダイシングし、半導体2、2、2・・・を個片化する。次に、半導体ウエハ3の上面全体に、印刷により絶縁層6を形成する。次に、絶縁層6の半導体2の外部接続端子2Aの部分を開口する。次に、隣接する半導体2、2の外部接続端子2A、2A間に跨がるように、印刷により導電性ペーストによる導電線8を形成する。次に、半導体ウエハ3を、前記ダイシングにおいて用いたブレードよりも薄いブレードをもって再びダイシングラインの中央においてダイシングし、各半導体2、2、2・・・を半導体ウエハ3の裏面に貼付した粘着フィルムから剥離する。次に、複数の半導体2、2、2を上下に積み重ねて接着し、各半導体2、2、2の側面に露出する、導電線8の切断面に跨がるように、印刷により導電性ペーストによる配線9を形成する。【選択図】図14
請求項（抜粋）：
以下の工程からなることを特徴とする半導体のスタック方法。
a.ウエハ上に外縁部上面に整列する多数の外部接続端子を形成してなる半導体を多数整列して形成した半導体ウエハを、裏面に補強板を貼着した粘着フィルムに貼り付けた状態でダイシングラインにおいてダイシングし、各半導体をチップ状に個片化する。
b.半導体ウエハの上面全体に、印刷によりポリイミド等の絶縁層を形成する。
c.フォトリソグラフィにより前記絶縁層の前記半導体の外部接続端子の部分を開口する。
d.隣接する半導体の外部接続端子間に跨がるように、印刷又はメッキにより導電線を形成する。
e.半導体ウエハを、前記ダイシングにおいて用いたブレードよりも薄いブレードをもって再びダイシングラインの中央においてダイシングする。
f.各半導体を粘着フィルムから剥離する。
g.複数の半導体を上下に積み重ねて接着し、各半導体の側面に露出する、前記外部接続端子に繋がる導電線の切断面に跨がるように、印刷により導電性ペーストによる配線を形成する。
IPC (5件)：
H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
, H01L 25/065
, H01L 25/07
H01L25/14 Z
, H01L25/08 Z
