特許
J-GLOBAL ID：200903016547971590
フォトダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114874
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321368
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 入射光を効率的に屈折させ、反射防止効果を向上させる。また、反射防止膜の屈折率を任意に設計でき、基板や検出光波長に対してフレキシブルに設計できるフォトダイオードを提供する。【構成】 反射防止膜を基板の受光面上に形成する際に、膜の膜厚方向における屈折率を、連続的に増加するよう形成されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の基板の上面に、受光面を有する第2導電型の導電層が形成され、その受光面上に反射防止膜が形成されたフォトダイオードにおいて、上記反射防止膜は、膜厚方向における屈折率が、連続的に増加するように形成されていることを特徴とするフォトダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/04 F
