フラッシュメモリのエンデュランス確認試験方式

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-297975
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139099
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】本発明は試験時間及び費用を低減させることができるフラッシュメモリのエンデュランス確認試験方式を提供することを目的とする。【解決手段】定格より低い書込電圧でフラッシュメモリ11にデータ”0”を書き込む書込手段12と、書込手段12による書き込み動作後にフラッシュメモリ11のデータを読み出す読出手段13と、読出手段13により読みだされたデータが、書込手段12により書き込まれたデータでなければフラッシュメモリ11のVccHマージンが小さいと判定する判定手段14とを具備し、VccHマージンが小さいと判定されたフラッシュメモリ11のみに対してエンデュランス試験15を行うように構成する。

請求項（抜粋）：

フラッシュメモリのエンデュランス確認試験方式において、定格より低い書込電圧でフラッシュメモリにデータ”0”を書き込む書込手段と、該書込手段による書き込み動作後に該フラッシュメモリのデータを読み出す読出手段と、該読出手段により読みだされたデータが、該書込手段により書き込まれたデータでなければ該フラッシュメモリのVccHマージンが小さいと判定する判定手段とを具備し、前記VccHマージンが小さいと判定された前記フラッシュメモリのみに対してエンデュランス試験を行うようにしたことを特徴とするフラッシュメモリのエンデュランス確認試験方式。

IPC (3件)：

G11C 29/00 303 , G01R 31/28 , G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 29/00 303 F , G01R 31/28 B , G11C 17/00 309 E

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