特許
J-GLOBAL ID：200903016552820109
パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055075
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259636
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 高品質、高性能で安価なパワーモジュール用セラミックス回路基板を提供する。【構成】 パターン化した銅板と、厚さ30〜150μmのアルミナ基板とを積層して酸化雰囲気中で加熱して接合した後急冷する。次いで、銅板表面の酸化膜を除去する。【効果】 超薄型アルミナ基板を用いるため、アルミナ基板による熱伝導性の問題が改善され、系外への熱放散性の高いセラミックス回路基板が提供される。超薄型アルミナ基板を銅板と酸化加熱接合した後、急冷するため、接合強度が高められ、強度のバラツキのない、従って、剥離の問題のないセラミックス回路基板が提供される。
請求項（抜粋）：
パターン化した銅板と、厚さ30〜150μmのアルミナ基板とを積層して、酸化雰囲気中で加熱することにより接合した後急冷し、次いで、銅板表面の酸化膜を除去することを特徴とするパワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
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