特許

J-GLOBAL ID：200903016553400316

不揮発性メモリ

発明者： 白川 幸彦 ,  山本 恭之
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 南條 眞一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-221297
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078943
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 アクセス回数に制限がない強誘電体不揮発性メモリを得る。【構成】 DRAM型強誘電体不揮発性メモリの強誘電体としてPb5Ge3O11薄膜を用いる。Pb5Ge3O11薄膜の結晶軸は膜厚方向に一軸配向することができるため読み出し書き込み時における分極反転時に強誘電体膜中に機械的ストレスが生じることなく、この機械的ストレスにより膜中の結晶構成が変化することがない。

請求項（抜粋）：

MOSFETと強誘電体キャパシタとから構成され前記強誘電体を自発分極させることによりデータを記憶する不揮発性メモリであって、前記強誘電体キャパシタの強誘電体層がPb5Ge3O11分極軸方位配向膜強誘電体からなる不揮発性メモリ。

IPC (9件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/403 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 11/34 352 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371