特許

J-GLOBAL ID：200903016554368190

面型発光素子とその製造方法

発明者： 大坪 孝二 ,  小路 元
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103401
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314854
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 面型発光素子とその製造方法に関し、ノンドープ半導体多層膜反射鏡を用いた低抵抗垂直共振器型面発光レーザ等の面型発光素子を提供する。【構成】 GaAs等の第1導電型半導体基板1上に、GaAs,AlAs等のバンドギャップの差が大きい半導体層21 ,22 を交互に成長して第1導電型半導体多層膜反射鏡2を形成し、その上にクラッド層、単層歪量子井戸、クラッド層等を成長して共振器3を形成し、その上にGaAs,AlAs等のバンドギャップの差が大きい半導体層51 ,52 を交互に成長してノンドープの半導体多層膜反射鏡5を形成し、このノンドープの半導体多層膜反射鏡5の発光領域直上を除く部分に第2導電型の不純物を導入して高不純物濃度領域7を形成し、この高不純物濃度領域7に電流注入部81 を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の上に第1導電型の半導体多層膜反射鏡が形成され、その上に共振器が形成され、その上にノンドープの半導体多層膜反射鏡が形成され、このノンドープの半導体多層膜反射鏡の発光領域以外の直上の部分に不純物拡散層が形成され、この不純物拡散層に電流注入部が形成されていることを特徴とする面型発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-263482
  
• 特開平4-318992
  
• 特開平4-280693
  
• 特開平3-225885
  
• 特開平2-302085