特許

J-GLOBAL ID：200903016561021375

フォトレジスト及びこのフォトレジストを用いた半導体装 置の製造方法

発明者： 塘 洋一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313696
公開番号（公開出願番号）：特開平6-110210
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】雰囲気等の外的条件に影響されずに、形状の良好なレジストパターンを得ることができるフォトレジスト、及びこのようなフォトレジストを用いた半導体装置の製造方法の提供。【構成】酸により溶解に対する保護基が外される等で現像液可溶性となる化合物と、活性エネルギー線の照射により酸を発生する化合物(光酸発生剤)を含有するフォトレジスト組成物上に、ロジン等の酸性ポリマー、PVA等の水性ポリマー、ポリラダーシロキサン等のポリシロキサン系ポリマー、フロロカーボン系ポリマー等から成膜されたガス不透過性ポリマーを形成したフォトレジスト、及びこれを用いた半導体装置の製造方法であり、このフォトレジストよりひだ張りのない良好なレジストパターン1が得られる。

請求項（抜粋）：

酸により現像液可溶性となる化合物と、活性エネルギー線の照射により酸を発生する化合物を含有するフォトレジスト組成物上に、ガス不透過性ポリマーを形成したことを特徴とするフォトレジスト。

IPC (6件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312