ビスフェノールAの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154297
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344699
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】高活性で高選択率の新規な触媒を用い、反応器が小さく、触媒使用量も少なく、また、溶融結晶化段階数が小さくて、熱変性物質や着色の原因物質・着色物質が低減された高純度ビスフェノールAを製造するプロセスを提供する。【解決手段】スルホン酸基含有炭化水素基とメルカプト基含有炭化水素基を共に有する有機高分子シロキサンの存在下、アセトンとフェノールを反応させてビスフェノールAを生成させ、次いで、得られた反応混合物を冷却してビスフェノールAとフェノールの付加物結晶を生成させ、この付加物結晶をスラリーから分離した後、分別溶融結晶化により不純物を除去して精製付加物結晶を得て、さらに、得られた精製付加物結晶からフェノールを除去して高純度のビスフェノールAを得る。

請求項（抜粋）：

スルホン酸基含有炭化水素基とメルカプト基含有炭化水素基を共に有する有機高分子シロキサンの存在下、アセトンとフェノールを反応させてビスフェノールAを生成させ、次いで、得られた反応混合物を冷却してビスフェノールAとフェノールの付加物結晶を生成させ、この付加物結晶をスラリーから分離した後、分別溶融結晶化により不純物を除去して精製付加物結晶を得て、さらに、得られた精製付加物結晶からフェノールを除去して高純度のビスフェノールAを得ることを特徴とするビスフェノールAの製造方法。

IPC (5件)：

C07C 37/20 , B01J 31/12 , C07C 29/78 , C07C 39/16 , C07B 61/00 300

FI (5件)：

C07C 37/20 , B01J 31/12 X , C07C 29/78 , C07C 39/16 , C07B 61/00 300

Fターム (17件)：

4H006AA02 , 4H006AC25 , 4H006AC42 , 4H006BA52 , 4H006BA53 , 4H006BC10 , 4H006BC19 , 4H006BC51 , 4H006BC52 , 4H006BD10 , 4H006BD31 , 4H006BD32 , 4H006BD52 , 4H006BD53 , 4H039CA60 , 4H039CF30 , 4H039CG10

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