単結晶窒化ガリウム基板上に製作した第III族窒化物系空洞共振発光素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松本研一 , 小倉博 , 黒川俊久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-536820
公開番号（公開出願番号）：特表2007-509507
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶(14)及び供給源材料(30)を、多ゾーン炉(50)内に配設される密封容器(10)内に配設される窒素含有過熱流体(44)内に配置する。窒化ガリウム種結晶(14)上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板(106、106’)が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶(14)と供給源材料(30)の間に時間的に変化する熱勾配(100、100’、102、102’)を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板(106、106’)上に、第III族窒化物層のスタック(112)を堆積させる。スタック(112)は、1以上の空洞共振発光素子(108、150、160、170、180)が製作されるように適合された第1ミラーサブスタック(116)及び活性領域(120)を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

空洞共振発光素子の製造方法であって、窒素含有過熱流体中に窒化ガリウム種結晶及び供給源材料を配置し、窒化ガリウム種結晶と供給源材料の間に熱勾配を設けて、窒化ガリウム種結晶上で単結晶窒化ガリウム基板を成長させ、単結晶窒化ガリウム基板上に、1以上の空洞共振発光素子への加工に適合した第1ミラーサブスタックと活性領域とを含む第III族窒化物層のスタックを堆積させることを含む方法。

IPC (6件)：

H01L 33/00 , H01S 5/323 , H01S 5/183 , H01S 5/026 , C30B 29/38 , C30B 9/06

FI (6件)：

H01L33/00 C , H01S5/323 610 , H01S5/183 , H01S5/026 , C30B29/38 D , C30B9/06

Fターム (57件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB04 , 4G077AB06 , 4G077BE15 , 4G077CC01 , 4G077ED01 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077FG11 , 4G077FG16 , 4G077HA02 , 4G077LA01 , 5F041AA12 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA08 , 5F041CA12 , 5F041CA13 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA71 , 5F041CA74 , 5F041CB02 , 5F041CB04 , 5F041CB06 , 5F041CB15 , 5F041CB22 , 5F041CB27 , 5F041FF11 , 5F173AA17 , 5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AC14 , 5F173AC15 , 5F173AC35 , 5F173AC42 , 5F173AC46 , 5F173AC52 , 5F173AD05 , 5F173AD06 , 5F173AF09 , 5F173AF96 , 5F173AG12 , 5F173AG20 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AP09 , 5F173AP33 , 5F173AP39 , 5F173AP54 , 5F173AP67 , 5F173AQ04 , 5F173AR07 , 5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第5637531号明細書
米国特許第6273948号明細書
米国特許第6140669号明細書

全件表示

前のページに戻る