特許
J-GLOBAL ID:200903016571189924

電子部品における接続用バンプの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 暁夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-279562
公開番号(公開出願番号):特開平5-121411
出願日: 1991年10月25日
公開日(公表日): 1993年05月18日
要約:
【要約】【目的】 半導体チップ又は回路基板1における電極パッド3a,3b,3cに対して、接続用のバンプ9a,9b,9cを、半田にて低コストで形成する。【構成】 電極パッド3a,3b,3cの表面に、非半田接合性を有するソルダーレジスト膜7を形成し、このソルダーレジスト膜4に、前記電極パッド3a,3b,3cの一部を露出するための抜き孔5a,5b,5cを穿設し、次いで、前記ソルダーレジスト膜4における各抜き孔5a,5b,5cの箇所に半田ペースト7a,7b,7cを塗着したのち、半田溶融温度まで加熱する。
請求項(抜粋):
回路基板又は半導体チップ等に予め形成した電極パッドの表面に、非半田接合性を有するソルダーレジスト膜を、前記電極パッドを覆うように形成し、このソルダーレジスト膜に、前記電極パッドの一部を露出するための抜き孔を穿設し、次いで、前記ソルダーレジスト膜の表面に、半田ペーストを、当該半田ペーストが前記抜き孔を通して前記電極パッドに接触するように塗着したのち、半田溶融温度まで加熱することを特徴とする電子部品における接続用バンプの形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/321 ,  H05K 3/34

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