特許
J-GLOBAL ID：200903016578287867
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏木 慎史 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-385124
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185081
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ素子において、クラッド層をエッチングしてリッジ部を形成する場合におけるエッチングストップ位置の制御を精度良く行えるようにする。【解決手段】 活性層24を挟むこの活性層24よりバンドギャップが大きい第1・第2クラッド層22,26a,26bと、第2クラッド層26a,26bの間に位置する第3クラッド層27とを半導体基板21上に積層し、活性層24の電流通路ストライプ所定領域を形成するために第2クラッド層26b側からエッチングしてリッジ部30を形成し、さらに、第3クラッド層27に電流を狭窄するアンダーカット部31を形成する構造において、第3クラッド層27を、リッジ部30を形成するエッチングをストップさせる材質で形成する。これにより、リッジ部30を形成するエッチングを第3クラッド層27の位置で確実にストップでき、均一な高さ寸法のリッジ部30を精度良く形成できる。
請求項（抜粋）：
光を発生する活性層と、この活性層よりバンドギャップが大きくてこの活性層を挟む第1・第2クラッド層と、前記第2クラッド層の中に位置する第3クラッド層とを、前記第1クラッド層が半導体基板側となるようにこの半導体基板上に積層し、前記活性層の電流通路ストライプ所定領域を形成するために前記第2クラッド層側からエッチングしてリッジ部を形成し、さらに、前記第3クラッド層をリッジ幅を狭める方向にエッチングして電流を狭窄するアンダーカット部を形成した半導体レーザ素子において、前記第3クラッド層が前記リッジ部を形成するエッチングをストップさせる材質で形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/22
, H01L 21/306 P
5F043AA13
, 5F043BB07
, 5F043FF02
, 5F043GG10
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073BA05
, 5F073BA06
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA27
