特許
J-GLOBAL ID：200903016580696820
半導体シリコン結晶中の酸素濃度評価方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-184560
公開番号（公開出願番号）：特開平11-014543
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 透過法では不可能であった低抵抗率(例えば20mΩ・cm以下、特には10mΩ・cm以下)の半導体シリコン結晶中の酸素濃度を、非破壊かつ低コストで、高感度に再現性良く評価する方法および装置を提供する。【解決手段】 半導体シリコン結晶に、2000cm-1以下の任意の波数を含む光を照射し、その反射光の照射光に対する振幅比ψ及び位相差Δから前記任意の波数における誘電関数実数部をもとめ、この値から前記半導体シリコン結晶中に含まれる酸素濃度に関する評価を行なう。
請求項（抜粋）：
半導体シリコン結晶に、2000cm-1以下の任意の波数を含む光を照射し、その反射光の前記照射光に対する振幅比ψ及び位相差Δから前記任意の波数における誘電関数実数部をもとめ、この値から前記半導体シリコン結晶中に含まれる酸素濃度の評価を行なうことを特徴とする半導体シリコン結晶の酸素濃度評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 21/35 Z
, H01L 21/66 N
