シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及び半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-056289
公開番号（公開出願番号）：特開平11-256106
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】【課題】耐熱性を有しつつ、焼成中の揮発を少なくし、被膜の誘電率が低く、かつ室温における保存安定性に優れたシリカ系被膜形成用塗布液、これを用いるシリカ系被膜の製造法、この方法により得られるシリカ系被膜および半導体装置を提供する。【解決手段】下記一般式(I)で表されるモノオルガノトリハロシラン化合物30〜100モル%と下記一般式(II)で表されるジオルガノジハロシラン化合物を70〜0モル%反応させ、得られたハロゲン含有ポリシランに下記一般式(III)で表される化合物反応させて得られ、一般式(IV)で表される基を珪素原子の総数に対して1〜100%有するポリシランと有機溶媒を含有してなるシリカ系被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、50〜250°Cで乾燥し、ついで水蒸気又は酸素の存在下において300〜500°Cで焼成することを特徴とするシリカ系被膜の製造方法、この方法により得られるシリカ系被膜及びこの被膜を用いた半導体装置。【化1】

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(ただし、式中R1は炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、アリール某、フルオロアルキル基又はフルオロアリール基を示し、Xはハロゲンを示す)で表されるモノオルガノトリハロシラン化合物30〜100モル%と一般式(II)【化2】(ただし、式中、R2及びR3は、それぞれ独立に炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、アリール基、フルオロアルキル基又はフルオロアリール基を示し、Xはハロゲンを示す)で表されるジオルガノジハロシラン化合物を70〜0モル%反応させ、得られたハロゲン含有ポリシランに一般式(III)【化3】(ただし、式中、R4は炭素数1〜6のアルキル基、アルケニル基、アリール基を示す)で表される化合物反応させて得られ、一般式(IV)【化4】(ただし、式中をR4は一般式(III)に同じ)で表される基を珪素原子の総数に対して1〜100%有するポリシランと有機溶媒を含有してなるシリカ系被膜形成用塗布液。

IPC (3件)：

C09D183/16 , C08G 77/60 , H01L 21/316

FI (4件)：

C09D183/16 , C08G 77/60 , H01L 21/316 G , H01L 21/316 P

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