特許

J-GLOBAL ID：200903016587114002

窒素-3属元素化合物半導体発光素子

発明者： 真部 勝英 ,  小出 典克 ,  梅崎 潤一 ,  野杁 静代
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316601
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151966
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】AlGaInN 発光ダイオードにおける発光輝度及び発光寿命の向上【構成】サファイア基板1に、順に、500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.2μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+層3、膜厚約 1.5μm、電子濃度1 ×1016/cm3のノンドープGaN から成る低キャリア濃度n層4、p層5が形成。p層5は、膜厚約500 Å、ホール濃度1 ×1016/cm3のMgドープGaN から成る低キャリア濃度p層L1 と膜厚約500 Å、ホール濃度 2×1017/cm3の高キャリア濃度p+ 層H1 とを1周期とする5周期の多重層構造である。この結果、発光輝度及び発光寿命の向上が見られた。

請求項（抜粋）：

n型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、p型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む)からなるp層とを有する窒素-3属元素化合物半導体発光素子において、前記p層を、前記n層と接合する側からホール濃度が比較的低濃度の低キャリア濃度p層と、ホール濃度が比較的高濃度の高キャリア濃度p+ 層とを1周期として、複数周期繰り返して形成したことを特徴とする発光素子。