特許
J-GLOBAL ID：200903016591084142
スライドボート式液相エピタキシャル成長法による薄膜形成方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅 直人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234236
公開番号（公開出願番号）：特開平7-061895
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月07日
要約：
【要約】【目的】 例えばレーザダイオードや発光ダイオード等の発光素子を生産する場合などに用いる液相エピタキシャル成長法、特にスライドボート式の液相エピタキシャル成長法による薄膜形成方法および装置に係り、その成長法により基板上に結晶を成長させて薄膜を形成する際に、その基板周縁部に異常成長が生じるのを簡単な構成により解消することを目的とする。【構成】 結晶成長の原料となるメルト4と、結晶を成長させる基板6とを、それぞれ略水平方向に相対移動可能なスライドボート1・2上に対向させて配置し、その各スライドボート1・2上のメルト4と基板6とを接触させて基板6上に結晶を成長させて薄膜を形成するスライドボート式液相エピタキシャル成長法による薄膜形成方法および装置おいて、結晶成長中に上記基板6を水平面内で回転させるようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
結晶成長の原料となるメルトと、結晶を成長させる基板とを、それぞれ略水平方向に相対移動可能なスライドボート上に対向させて配置し、その各スライドボート上のメルトと基板とを接触させて基板上に結晶を成長させて薄膜を形成するスライドボート式液相エピタキシャル成長法による薄膜形成方法において、結晶成長中に上記基板を水平面内で回転させるようにしたことを特徴とするスライドボート式液相エピタキシャル成長法による薄膜形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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