特許

J-GLOBAL ID：200903016591428402

積層コンデンサの製造方法

発明者： 水城 政憲 ,  本多 敏光
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342731
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196352
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 脱脂を速やかに行い得て、クラックがなく、酸素欠陥を補え得て、高温負荷試験に耐えられて絶縁抵抗の劣化のない信頼性の高い積層コンデンサの製造方法。【構成】 コンデンサ素体の焼成過程を温度の上昇および降下に対応させて脱脂ゾーン、焼結ゾーン、酸素欠陥補充ゾーンに区分し、各ゾーンで加熱処理を施す際の雰囲気中のO2分圧を特定範囲内とした積層コンデンサの製造方法。

請求項（抜粋）：

内部電極用ニッケル導電層が形成された未焼成セラミックシートを複数枚積層し、圧着して成る積層状の未焼成のコンデンサ素体を焼成した後、コンデンサ素体の両端面およびそれに連なる周端縁部に外部電極用導電層を形成する積層コンデンサの製造方法において、未焼成のコンデンサ素体を焼成する際の焼成を温度1000°Cまでの昇温過程を脱脂ゾーンとし、それ以降最高温度での焼結過程を焼結ゾーンとし、最高温度以降の常温までの降温過程を酸素欠陥補充ゾーンに区分し、脱脂ゾーンはO2分圧が10-13〜10-15atmとした雰囲気とし、焼結ゾーンはO2分圧が10-16〜10-18atmとした雰囲気とし、酸素欠陥補充ゾーンはO2分圧が10-10〜10-13atmとした雰囲気で焼成を行うことを特徴する積層コンデンサの製造方法。

IPC (4件)：

H01G 4/12 364 ,  C04B 35/64 ,  C04B 35/64 301 ,  H01G 13/00 391