特許

J-GLOBAL ID：200903016597897285

マグネシウムを含むII-VI族化合物半導体の成長方法

発明者： 今西 大介 ,  河角 孝行 ,  戸田 淳 ,  石橋 晃
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091704
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264564
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 Mgを含むII-VI族化合物半導体を気相成長法により低温で成長させる。【構成】 ZnMgSSeなどのMgを含むII-VI族化合物半導体を有機金属化学気相成長法などの気相成長法によりGaAs基板などの基板13上にエピタキシャル成長させる際に、基板13に光Lを照射する。光Lとしては、水銀ランプによる光やエキシマーレーザーによるレーザー光などを用いる。

請求項（抜粋）：

マグネシウムを含むII-VI族化合物半導体をマグネシウム原料としてマグネシウムを含む化合物を用いて気相成長法により基板上に成長させるようにしたマグネシウムを含むII-VI族化合物半導体の成長方法において、上記マグネシウムを含むII-VI族化合物半導体の成長中に上記基板に光を照射するようにしたことを特徴とするマグネシウムを含むII-VI族化合物半導体の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/365 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/365 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18