低誘電率ボラジン-ケイ素系高分子からなる層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：飯田敏三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-071333
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359240
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】誘電率が低く、さらに耐熱性、熱伝導性、機械強度に優れ、熱膨張係数が小さく、配線材料の金属の絶縁膜中への拡散を抑制することのできる層間絶縁膜、該層間絶縁膜を用いた半導体装置、及び低屈折率材料を提供する。【解決手段】 B,B’,B”-トリエチニル-N,N’,N”-トリメチルボラジンと、少なくとも2個以上のヒドロシリル基を有する特定のケイ素化合物又は少なくとも2個以上のヒドロシリル基を有する特定の環状ケイ素化合物とを、白金触媒存在下で反応させて得られる低誘電率ボラジン-ケイ素系高分子物質からなる低誘電率層間絶縁膜、該層間絶縁膜を用いた半導体装置、及び該高分子物質からなる低屈折率材料。

請求項（抜粋）：

B,B’,B”-トリエチニル-N,N’,N”-トリメチルボラジンと、一般式(1)【化1】(式中、R1およびR2はアルキル基、アリール基、アラルキル基または水素原子の中から選ばれる同一あるいは相異なる1価の基を示し、R3は置換基を有していても良い芳香族の2価の基、酸素原子、または、オキシポリ(ジメチルシロキシ)基を示す)で表される、少なくとも2個以上のヒドロシリル基を有するケイ素化合物とを、白金触媒存在下で反応させて得られる低誘電率ボラジン-ケイ素系高分子物質を層間絶縁膜として用いた半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/312 , C08G 77/50 , C08J 5/18 CFH , H01L 21/316 , H01L 21/768 , C08L 83:14

FI (6件)：

H01L 21/312 C , C08G 77/50 , C08J 5/18 CFH , H01L 21/316 G , C08L 83:14 , H01L 21/90 S

Fターム (46件)：

4F071AA65 , 4F071AA68 , 4F071AF31 , 4F071AF39 , 4F071AH12 , 4F071AH19 , 4F071BA02 , 4F071BB02 , 4F071BC01 , 4F071BC02 , 4F071BC11 , 4J035BA02 , 4J035BA12 , 4J035BA14 , 4J035CA01N , 4J035CA02K , 4J035CA02N , 4J035CA04N , 4J035CA18K , 4J035CA22K , 4J035CA22M , 4J035CA28M , 4J035HA02 , 4J035HA03 , 4J035HA04 , 4J035HB01 , 4J035HB02 , 4J035JA02 , 4J035JA03 , 4J035JA04 , 4J035JB02 , 4J035LB20 , 5F033RR23 , 5F033SS22 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

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