半導体レーザー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-356021
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090063
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】高出力用半導体レーザーの低消費電力化及び製品歩留りの向上を図ること。【構成】半導体レーザーにおいて、積層するように成長形成された第1レーザー構造1及び第2レーザー構造2の間にトンネルダイオード構造3が成長形成されているので、このトンネルダイオード構造3が前記第1レーザー構造1及び第2レーザー構造2を結合している。更に、前記各レーザー構造1・2の順方向と前記トンネルダイオード構造3の順方向が逆に接続されているので、前記各レーザー構造に順方向電流を流したとき、前記トンネルダイオード構造3に逆バイアスが印加されるが、前記トンネルダイオード構造3の逆バイアス時の電圧降下は極めて小さい。

請求項（抜粋）：

順方向に電流を流すとレーザー光を発生する半導体レーザーにおいて、第1レーザー構造、トンネルダイオード構造及び第2レーザー構造を積層するように順次成長させ、前記第1レーザー構造及び第2レーザー構造の順方向を前記半導体レーザーの順方向と同じ向きとし、前記トンネルダイオード構造の順方向を前記半導体レーザーの順方向と逆向きに形成したことを特徴とする半導体レーザー。

前のページに戻る