特許

J-GLOBAL ID：200903016607789087

レーザアニール装置

発明者： 武久 究 ,  矢野 眞 ,  桑原 皓二 ,  小川 和宏 ,  三上 佳朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193716
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045272
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【構成】Qスイッチにより、数十kHz程度の繰返し数で発生されたYAGレーザの第4高調波であるレーザ光6は、ポリゴンミラー7でスキャンされながら、シリコン基板2に照射される。レーザ光6はシングルモードで取り出されるため、トランジスタが形成される微小領域のみがアニールされる。【効果】一つのトランジスタが形成される領域は、1発のパルスレーザ光でカバーされるため、アニール後の電気的特性がばらつかない。しかも、トランジスタの領域以外はほとんど照射されずに済むため、レーザ光の全エネルギは少なくて済み、また、アニール処理の時間も短縮される。

請求項（抜粋）：

Qスイッチを含むYAGレーザからのパルス状のレーザ光を波長変換したパルスレーザ光を、シリコンからなる膜に照射させることを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (4件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01S 3/00