特許

J-GLOBAL ID：200903016614788533

厚膜パタ-ンの形成方法

発明者： 井上 崇司
出願人/特許権者： 株式会社ノリタケカンパニーリミテド ,  ノリタケ電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006190
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208899
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】所期の機能を損なうことなくファイン・パターン化を実現し得る厚膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】基板10の一面12に厚膜導体14を形成するに際しては、撥油膜形成工程において、厚膜導体ペースト24に対する接触角が基板10の一面12よりも高く且つフッ素樹脂等から成る撥油膜16がその一面12に形成され、続く印刷工程において、その撥油膜16上にその厚膜導体ペースト24を厚膜スクリーン印刷することにより印刷膜18が形成され、更に、焼成工程において、その印刷膜18が形成された基板10を焼成処理することにより、その印刷膜18から厚膜導体14が生成されると同時に撥油膜16が分解除去される。

請求項（抜粋）：

所定の基体の一面に所定の厚膜形成材料から成る厚膜パターンを形成する方法であって、前記厚膜形成材料を含む所定の厚膜印刷ペーストに対する接触角が前記基体の一面よりも高く且つ有機化合物から成る撥液膜を該一面に形成する撥液膜形成工程と、該撥液膜上に前記厚膜印刷ペーストを所定パターンで厚膜スクリーン印刷するとにより所定パターンの印刷膜を形成する印刷工程と、該印刷膜が形成された前記基体を焼成処理することにより、該印刷膜から前記厚膜パターンを生成すると同時に前記撥液膜を分解して除去する焼成工程とを、含むことを特徴とする厚膜パターンの形成方法。

IPC (4件)：

H05K 3/12 610 ,  H05K 3/12 ,  B41F 15/08 303 ,  H01L 23/12

FI (5件)：

H05K 3/12 610 H ,  H05K 3/12 610 F ,  H05K 3/12 610 J ,  B41F 15/08 303 E ,  H01L 23/12 Q

Fターム (9件)：

2C035AA06 ,  2C035FD01 ,  2C035FD52 ,  5E343AA23 ,  5E343BB72 ,  5E343CC22 ,  5E343DD03 ,  5E343EE37 ,  5E343ER33