特許
J-GLOBAL ID：200903016618241091
マルチビーム半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052427
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259565
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 AlGaInP系の半導体レーザにも適用できるマルチビーム半導体レーザを提供すること。【構成】 同一の半導体基板1上に2つのビームA,Bを有し、半導体基板1の裏面に共通電極10を設けると共に表面にビーム毎に分離された電極9を設けることにより各ビームA,Bを相互独立に駆動できるように構成したマルチビーム半導体レーザにおいて、各ビームの活性層4およびクラッド層3、5がそれぞれ共通層として一体化しており、かつ、ビームA,B間の上側クラッド層5の厚さdがビーム部のそれよりも薄くなっている。これにより、ビーム間のクロストークを防ぐことができ、独立駆動が可能となる。
請求項（抜粋）：
同一の半導体基板上に複数のビームを有し、前記半導体基板の裏面に共通電極を設けると共に表面にビーム毎に分離された電極を設けることにより各ビームを相互独立に駆動できるように構成したマルチビーム半導体レーザにおいて、前記各ビームの活性層およびクラッド層がそれぞれ共通層として一体化しており、かつ、ビーム間の上側クラッド層の厚さがビーム部のそれよりも薄いことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ。
引用特許：
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