特許

J-GLOBAL ID：200903016623354562

RIE装置

発明者： 大見 忠弘 ,  新田 雄久
出願人/特許権者： 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所 ,  大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1997002326
公開番号（公開出願番号）：WO1998-001898
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 1998年01月15日
要約：

【要約】本発明は、エッチング処理する処理室内にO2やH2Oが存在しない、又は、持ち込まれない、さらにプラズマ生成時に酸素原子が処理室内に存在しない、RIE装置を提供する。これにより、レジストに対する被処理体のエッチング選択比を実現する。本発明のRIE装置は、被処理体101を導入するロード室102と前記被処理体101をエッチング処理する処理室103とが、第1の開閉手段104を介して接続されてなるRIE(Reactive Ion Etching)装置において、前記処理室103の内壁に沿って設けたメタル汚染防止手段105、前記処理室内の電極に沿って設けたスパッタ防止手段106、又は/及び、前記処理室103の内壁は、少なくとも最表面が酸素原子を含まない材料であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被処理体を導入するロード室と前記被処理体をエッチング処理する処理室とが、第1の開閉手段を介して接続されてなるRIE(リアクティブ・イオン・エッチング)装置において、 前記処理室の内壁に沿って設けたメタル汚染防止手段、前記処理室内の電極に沿って設けたスパッタ防止手段、又は/及び、前記処理室の内壁は、少なくとも最表面が酸素原子を含まない材料であることを特徴とするRIE装置。

IPC (1件)：

H01L 21/3065