特許

J-GLOBAL ID：200903016623786748

インダクタを有する半導体デバイス

発明者： ヤ-ホン クシー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-283277
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154797
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】 基板から完全に絶縁されるようなインダクタを有する頑強な半導体デバイスを提供する。【解決手段】 本発明のデバイスにおいて、インダクタ25はシリコン基板10内に形成された無酸化多孔質シリコンの領域15上に形成されている。この多孔質シリコン領域15がインダクタ25とシリコン基板10との間の容量性結合および誘導性結合を低減する。この多孔質シリコン領域15は、電解溶液に曝されるシリコン基板10をアノードに接続するような電解プロセスを用いて形成するのがよい。

請求項（抜粋）：

(A)シリコン基板(10)と、(B)前記基板(10)内に形成した多孔質シリコン領域(15)と、(C)前記多孔質シリコン領域(15)の上に形成したインダクタ(25)と、からなり、前記多孔質シリコン領域(15)は、酸化されておらず、前記シリコン基板上のインダクタ(25)は、前記多孔質シリコン領域(15)内に形成されていることを特徴とするインダクタを有する半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3063

FI (2件)：

H01L 27/04 L ,  H01L 21/306 L