特許
J-GLOBAL ID：200903016629068600
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006561
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190480
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における接合深さを浅くする技術に関するもので、より浅い接合を形成することを目的とするものであり、ひいては接合リークの少ない優れた半導体装置を提供するものである。【構成】 本発明は前記目的を実現するため、半導体基板1上に不純物を導入した層(Nell)2を形成した後、それをN2 雰囲気中でアニールし、表面近傍の不純物を外方拡散させて、その不純物濃度を低下させるようにしたものである。その結果、接合形成のためのイオン打ち込み量を減少させられ、浅い接合を形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した少なくとも能動素子領域の表面近傍に含まれている不純物を、熱処理により外方拡散を行ない、前記表面近傍の不純物濃度を低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/223
, H01L 21/265
, H01L 29/784
H01L 21/265 A
, H01L 29/78 301 H
