特許

J-GLOBAL ID：200903016630947722

半導体装置およびその製造方法

発明者： 布施 晃広 ,  阿部 宏幸
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-294231
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139424
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 上層配線となるアルミニウム系材料に対する濡れ性が良いチタン系高融点材料が形成されるとともに、このチタン系高融点材料の酸化を防止する酸化防止膜が良好に形成された半導体装置およびこの半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁層1を挟んで位置する上層配線2と下層配線3との間を電気的に接続するために前記の層間絶縁層1に形成された接続孔6に、前記上層配線2であるアルミニウム系材料に対して濡れ性を持ち当該アルミニウム系材料の埋め込みを良好に行わせるチタン層8を被覆して成る半導体装置において、前記下層配線3の上面にシリコン窒化膜15が形成され、前記接続孔6の下方に位置していた前記シリコン窒化膜15が接続孔6の側壁部に付着されて酸化防止膜7を成している。

請求項（抜粋）：

層間絶縁層を挟んで位置する上層配線と下層配線との間を電気的に接続するために前記の層間絶縁層に形成された接続孔に、前記上層配線であるアルミニウム系材料に対して濡れ性を持ち当該アルミニウム系材料の埋め込みを良好に行わせるチタン系高融点材料を被覆して成る半導体装置において、前記下層配線の上面に酸化防止材料の膜が形成され、前記接続孔の下方に位置していた前記酸化防止材料の膜が接続孔の側壁部に付着されて酸化防止膜を成していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R