特許
J-GLOBAL ID：200903016647640108
半導体成長方法および半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-088159
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259079
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 再現性・制御性良く高結晶品質の化合物半導体自然超格子を形成する。さらに、制御性良く選択的に自然超格子を形成し、高性能の半導体レーザを作製する。【構成】 結晶中に自然超格子の形成された3元以上の元素から成るIII-V化合物半導体中を分子線エピタキシャル法(MBE法)で成長するにあたり、基板をMBE真空チャンバ中に保持し、外部より光導入窓を通して基板表面に光を照射する。或いは同様の構成で、真空チャンバ内に電子線発生源を設置して基板表面に電子線を照射する。光照射の場合はフォトマスク、電子線の場合は電子線走査により基板面内に照射選択性をもたせる。また、この選択性を利用して高出力半導体レーザ、光集積半導体レーザなどの高機能半導体レーザを作製する。
請求項（抜粋）：
3元以上の元素から成るIII-V化合物半導体中に、III族またはV族の副格子上に1分子層毎の超格子を含む半導体膜を分子線エピタキシャル法で形成する工程において、半導体結晶の成長温度を650°C以下とし、かつ成長基板上に光または電子線を照射することを特徴とする半導体成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, C30B 23/08
, H01L 21/263
, H01L 27/15
, H01S 3/18
