特許
J-GLOBAL ID：200903016649519799
光電変換素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-291407
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211931
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、低コスト基板である金属級Si基板上に大粒径の多結晶半導体層を成長させた安価な薄膜多結晶シリコン太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 薄膜多結晶シリコン太陽電池は、金属級Si基体上に、金属酸化物層と、該金属酸化物層の上に多結晶Si層とが積層されていることを特徴とする。また、多結晶シリコン太陽電池の製造方法は、i)金属級Si基体上に金属酸化物層を堆積する工程と、ii)該金属酸化物層の表面にSi層を堆積する工程と、iii)該Si層の表面にキャップ層を堆積して該キャップ層の上方から加熱により前記Si層を溶融し、固化させて多結晶Si層を形成する工程と、iv)前記キャップ層を除去し、前記多結晶Si層表面に半導体接合を形成する工程と、を含むことを特微とする。
請求項（抜粋）：
金属級シリコンと、該金属級シリコン上に金属酸化物と、該金属酸化物上に多結晶シリコンと、を有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 H
, H01L 31/04 X
