特許
J-GLOBAL ID：200903016649628806
半導体ウェハの温度測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164059
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335397
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 低温エッチング時のSiウェハの温度変化を正確に測定する。【構成】 Siウェハ1を、試料台のストッパー3に押し付けた状態で保持し、このSiウェハ1の寸法変化をレーザ干渉計5により検出する。このレーザ干渉計5の検出データを演算部20に送り、Siの既知の熱膨張率から、Siウェハ1の温度を演算により求める。【効果】 Siウェハ1からの赤外線を検出する方法よりもノイズが少なく、熱電対等により試料台の温度を検出する間接的な測定方法よりも精度が高い。
請求項（抜粋）：
処理中の半導体ウェハの寸法変化を測定し、その測定された寸法変化量から、当該半導体ウェハの熱膨張率に基づき、その温度を決定することを特徴とする半導体ウェハの温度測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01B 9/02
, G01K 5/50
, H01L 21/302
