特許
J-GLOBAL ID：200903016649689473

強誘電体メモリの製造方法、情報格納方法及び記憶素子

発明者：
フォード ウィリアム

フォード ウィリアム について

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ジュリナ ヴェッセルズ

ジュリナ ヴェッセルズ について

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ヴォッスマイエル トビアス

ヴォッスマイエル トビアス について

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冨田 秀実

冨田 秀実 について


出願人/特許権者：
ソニー インターナショナル (ヨーロッパ) ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

ソニー インターナショナル (ヨーロッパ) ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-371837
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208271
出願日： 2001年12月05日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体メモリ素子をナノスケールに小型化する。【解決手段】 強誘電状態において、双極子モーメントが上記基板の表面に対して少なくとも1つの所定の向きである平均の向きを有する軸に沿って配向されるように、少なくとも強誘電体粒子の一部を配向し、基板に強誘電体粒子を付着させる。
請求項（抜粋）：
a)強誘電体粒子を準備する工程と、b)基板を準備する工程と、c)強誘電状態において、双極子モーメントが上記基板の表面に対して少なくとも1つの所定の向きである平均の向きを有する軸に沿って配向されるように、少なくとも上記強誘電体粒子の一部を配向する工程と、d)上記基板に上記強誘電体粒子を付着させる工程とを有する強誘電体メモリの製造方法。
IPC (2件)：
G11C 11/22 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
G11C 11/22 ,  H01L 21/316 G
Fターム (5件)：
5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF42 ,  5F058BH01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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