特許

J-GLOBAL ID：200903016653963032

分子線結晶成長装置

発明者： 長井 政春
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232109
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078331
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 分子線の強度を正確に測定しながら結晶成長を行える分子線結晶成長装置(MBE装置)を提供すること。【構成】 成長室2内に配置される基板10およびイオンゲージ5a〜5cと、この基板10に成長させる材料A〜Cを収納するための容器3a〜3cと、容器3a〜3cに収納される材料A〜Cを加熱して分子線を出射させるための加熱用電源6とを備え、容器3a〜3cが強度に関して相関関係のある2つ以上の分子線を各々異なる方向へ直線的に出射するとともに、その内の少なくとも一つの分子線?@を基板10へ照射し、他の内の少なくとも一つの分子線?Aをイオンゲージ5a〜5cへ照射するMBE装置1である。

請求項（抜粋）：

成長室内に配置される基板および分子線強度検出手段と、該基板に成長させる材料を収納するための容器と、該容器に収納される材料を加熱して該材料に基づく分子線を出射させるための加熱手段とを備えている分子線結晶成長装置であって、前記容器は、強度に関して相関関係のある2つ以上の分子線を各々異なる方向へ直線的に出射するとともに、その内の少なくとも一つの分子線を前記基板へ照射し、他の内の少なくとも一つの分子線を前記分子線強度検出手段へ照射することを特徴とする分子線結晶成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/363