特許
J-GLOBAL ID:200903016655978460

半導体レーザ励起固体レーザ装置および該装置を用いた紫外レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山口 孝雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-184447
公開番号(公開出願番号):特開平11-017255
出願日: 1997年06月25日
公開日(公表日): 1999年01月22日
要約:
【要約】【課題】 ワイドエリア半導体レーザを用いて固体レーザ媒質の端面を効率良く光励起することのできる半導体レーザ励起固体レーザ装置。【解決手段】 所定方向に沿って間隔を隔てて配置された複数の発光部を有する半導体レーザ(1)からのビームを励起光学系(2〜5)を介して固体レーザ媒質(7)の端面上に集光し、固体レーザ媒質を光励起することによってレーザ発振する。ここで、励起光学系は、半導体レーザの複数の発光部からのビームを所定方向と光学的に対応する方向に沿って回折次数の異なる複数のビームに分割するための回折光学素子(4)を有する。
請求項(抜粋):
所定方向に沿って間隔を隔てて配置された複数の発光部を有する半導体レーザからのビームを励起光学系を介して固体レーザ媒質中に集光し、前記固体レーザ媒質を光励起することによってレーザ発振する半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前記励起光学系は、前記半導体レーザの複数の発光部からのビームを前記所定方向と光学的に対応する方向に沿って回折次数の異なる複数のビームに分割するための回折光学素子を有することを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
IPC (3件):
H01S 3/094 ,  G02F 1/37 ,  H01S 3/109
FI (3件):
H01S 3/094 S ,  G02F 1/37 ,  H01S 3/109

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