特許

J-GLOBAL ID：200903016657944725

半導体装置

発明者： 島 田 新 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-059300
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273199
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 リダンダンシヒューズをできるため上層に配置することにより、リダンダンシ用の窓がなくても又は窓を開ける工程を少なくしてレーザブローによるヒューズ溶断を容易に実施できるようにする。【構成】 半導体基板上に絶縁膜を介して堆設したポリシリコン層をゲートとするトランジスタを有し、前記トランジスタの上方に絶縁膜を介して形成した第1の配線層を有し、リダイダンシヒューズの溶断によって欠陥回路を冗長回路に置き換えるようにした半導体装置であって、前記第1の配線層と同一ステップで形成される第2の配線層をヒューズブロー材料層として前記リダンダンヒューズを構成し、このリダンダンヒューズのほぼ真上に、絶縁膜を介して、レーザ吸収体を形成したことを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して堆設したポリシリコンを有する層をゲートとするトランジスタを有し、前記トランジスタの上方に絶縁膜を介して形成した第1の配線層を有し、リダイダンシヒューズの溶断によって欠陥回路を冗長回路に置き換えるようにした半導体装置であって、前記第1の配線層と同一ステップで形成される第2の配線層をヒューズブロー材料層として前記リダンダンヒューズを構成し、このリダンダンヒューズのほぼ真上に、絶縁膜を介して、レーザ吸収体を形成したことを特徴とする半導体装置。