特許

J-GLOBAL ID：200903016661922779

誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ並びに誘電体磁器の製法

発明者： 杉本 幸史郎 ,  古澤 明
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205031
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054359
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】比誘電率が大きく、かつ低温焼成できるとともに、CuOの偏析による絶縁抵抗の低下を防止できる誘電体磁器およびその製法を提供し、さらに短絡不良率の低減を図ることができる積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】少なくともPb、Mg、NbおよびTiを含有する主結晶粒子1と、Cuを含有するCu化合物粒子2とからなり、該Cu化合物粒子2が均一に分散し、かつ、Cu化合物粒子2の平均粒径が、主結晶粒子1の平均粒径よりも小さいことを特徴とする誘電体磁器である。

請求項（抜粋）：

少なくともPb、Mg、NbおよびTiを含有する主結晶粒子と、Cuを含有するCu化合物粒子とからなり、該Cu化合物粒子が均一に分散し、かつ、前記Cu化合物粒子の平均粒径が、前記主結晶粒子の平均粒径よりも小さいことを特徴とする誘電体磁器。

IPC (3件)：

H01G 4/12 358 ,  C04B 35/46 ,  H01B 3/12 313

FI (3件)：

H01G 4/12 358 ,  H01B 3/12 313 Z ,  C04B 35/46 H