特許
J-GLOBAL ID：200903016663201017
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-337129
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141613
出願日： 2000年11月06日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウムからなる基板上に窒化物系半導体を成長できるようにし、また、リッジ形状を有する電極のコンタクト抵抗を低減できるようにする。【解決手段】 p型GaNからなる半導体基板11上に成長したn型ガイド層16の上には、ストライプ状の開口部を持ち、膜厚が1μm程度の電流狭窄絶縁層17が形成されている。n型ガイド層16の電流狭窄絶縁層17から露出する部分上には、n型ガイド層16とほぼ同等の組成を持つn型の再成長界面調整層18が形成されている。再成長界面調整層18の上には、選択的水平方向成長法により電流狭窄絶縁層17の開口部を覆うように再成長したn型クラッド層19及びn型コンタクト層20が形成されている。電流狭窄絶縁層17上にはn側電極21がn型コンタクト層20を覆うように形成され、半導体基板11におけるn側電極21と反対側の面にはその全面にp側電極22が形成されている。
請求項（抜粋）：
第1の窒化物半導体からなる基板と、前記基板の上に形成された第2の窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成され、ストライプ状の開口部を有する誘電体層と、前記誘電体層の上に前記開口部を充填するように形成され、第3の窒化物半導体からなるクラッド層とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F073AA03
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA24
, 5F073EA07
