特許
J-GLOBAL ID：200903016666130536

半導体装置およびその製造方法

発明者：
田中 康雄

田中 康雄 について

, 
木崎 正康

木崎 正康 について


出願人/特許権者：
株式会社アイ・イー・ピー・テクノロジーズ

株式会社アイ・イー・ピー・テクノロジーズ について


代理人 (1件)： 鹿嶋 英實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-207287
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023124
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の向上を図ることができる半導体装置およびその製造方法を実現する。【解決手段】 シリカ粒子9を混練したエポキシ樹脂8をウエハ1の回路面全体に塗布した後、ウエハ1の回路面側から裏面側に向う遠心力をウエハ1に印加し、これによりエポキシ樹脂8に混練されたシリカ粒子9を強制的に沈降させて、下層のシリカ粒子密度を上げ、上層のシリカ粒子密度を下げた封止樹脂層7を形成するので、半導体装置10内部での熱膨張係数差を抑制しつつ、配線基板側との熱膨張係数差も抑制する信頼性の高い半導体装置10を具現することができる。
請求項（抜粋）：
回路が形成される主面を有する半導体基板と、該半導体基板の主面を封止する封止樹脂とを備えた半導体装置であって、前記封止樹脂の充填材粒子の分布密度は、該封止樹脂の上層と下層とで異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/56
FI (3件)：
H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/12 501 C ,  H01L 21/56 E
Fターム (7件)：
5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA05 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13 ,  5F061DE03 ,  5F061DE04
引用特許：
審査官引用 (1件)

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