特許

J-GLOBAL ID：200903016667143488

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 原 和里 ,  鳥居 善三 ,  大平 義和 ,  松井 剛 ,  早川 崇 ,  大塚 実 ,  西村 美智夫 ,  田中 道夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-235003
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082800
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】 高融点金属で構成される導体膜を有する半導体集積回路装置において、導体膜、接続孔の加工時のフォトリソグラフィー、及びエッチング精度を向上する。【構成】 高融点金属膜の上面が、低反射率の導体膜で構成されている第1の導体層と、前記第1の導体層上に接続孔が形成された絶縁膜と、前記接続孔に位置した前記第1の導体層部分と接続する第2の導体層とを有することを特徴とする半導体集積回路装置及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

高融点金属膜の上面が、その高融点金属膜より低反射率を有する導体膜で構成されている第1の導体層と、前記第1の導体層上に接続孔が形成された絶縁膜と、前記接続孔に位置した前記第1の導体層部分と接続する第2の導体層とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 R