特許

J-GLOBAL ID：200903016668654001

層間絶縁膜の形成方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007029
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199490
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 有機絶縁膜のクラックの発生および分解を防止しつつ、この有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成し、またいずれの有機絶縁膜上にも熱CVD法によって無機絶縁膜を形成可能とする。【解決手段】 熱エネルギーを与えて化学反応を行う熱CVD法によって、基体1上に形成した有機絶縁膜2上に第1無機絶縁膜3を形成し、次いでプラズマCVD法によって、第1無機絶縁膜3上に第2無機絶縁膜4を形成する。そして上記熱CVD法を、少なくともシラン系ガスと酸化系のガスとを含む原料ガスを用いかつ-50°C〜400°Cの温度範囲内で行う。また第1無機絶縁膜2の形成に先立ち、基体1上に形成した有機絶縁膜2に不活性ガスのプラズマを照射し、あるいは有機絶縁膜2表面にアルコール系の溶媒を塗布してもよい。

請求項（抜粋）：

半導体装置における層間絶縁膜の形成方法であって、熱エネルギーによる化学反応を伴う化学的気相成長法によって基体表面に形成した有機絶縁膜上に第1無機絶縁膜を形成する第1工程と、プラズマを用いた化学的気相成長法によって、前記第1無機絶縁膜上に第2無機絶縁膜を形成する第2工程とを有し、前記第1工程の化学的気相成長法は、少なくともシラン系ガスと酸化系ガスとを含む原料ガスを用いかつ-50°C〜400°Cの温度範囲内で行うことを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/95 ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 K