特許

J-GLOBAL ID：200903016671295462

薄膜パターン形成方法

発明者： 佐野 直樹 ,  鮫島 俊之 ,  原 昌輝 ,  碓井 節夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166245
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013356
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 ウェットプロセスを用いることなく確実にパターニングを行い、薄膜パターンの微細化及びプロセスの短縮化、簡略化をはかる。【構成】 基体1の表面1S上にステンシル2をパターン形成した後、このステンシル2上に成膜すべき薄膜3を被着して、基体1の裏面1R側から矢印Lで示すようにエネルギービームを照射して、ステンシル2を剥離させて薄膜3をパターニングする。

請求項（抜粋）：

基体の表面上にステンシルをパターン形成した後、上記ステンシル上に成膜すべき薄膜を被着して、上記基体の裏面側からエネルギービームを照射して、上記ステンシルを剥離させて上記薄膜をパターニングすることを特徴とする薄膜パターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 31/04 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/88 G ,  H01L 31/04 S ,  H01L 29/78 311 F