半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西村征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076690
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269367
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の劣化を防止すると共に、浮遊ゲート内のキャリアの電荷量を正確に制御できるようにする。さらに、書き込み時の消費電力を不要にする。【解決手段】開示されている半導体記憶装置は、浮遊ゲート6に一部分が接すると共に他部分がP型シリコン基板1に接するようにモット絶縁体7を設け、このモット絶縁体7に金属-絶縁相転移を生じさせる。そして、浮遊ゲート6に対してキャリアである電子の注入又は放出を行う場合、ゲート酸化膜5を通じてではなく、モット絶縁体7の金属相を通じてキャリアの注入又は放出を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して浮遊ゲートが設けられると共に、該浮遊ゲート上に層間絶縁膜を介して制御ゲートが設けられ、前記浮遊ゲートに対してキャリアの注入又は放出を行って情報の書き込み又は消去を行う半導体記憶装置であって、前記浮遊ゲートに対して、金属-絶縁相転移を利用して前記キャリアの注入又は放出を行うように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (23件)：

5F001AA06 , 5F001AA25 , 5F001AA26 , 5F001AA64 , 5F001AB07 , 5F001AC07 , 5F001AD12 , 5F001AD52 , 5F001AE02 , 5F001AE08 , 5F001AF07 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP30 , 5F083ER02 , 5F083ER11 , 5F083ER13 , 5F083ER21 , 5F083ER30 , 5F083GA05 , 5F083GA21 , 5F083JA35 , 5F083JA39

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平3-062574
特開平4-287976
量子箱を有する電界効果トランジスタ及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-256451 出願人：ソニー株式会社

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