特許
J-GLOBAL ID：200903016680707170
半導体集積回路の一部の構成体及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133484
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051144
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路の改良した装置誘電体を製造する方法及びその方法により製造された集積回路を提供する。【構成】 サブミクロン領域において使用する幾何学的形状にスケーリングするために、装置誘電体として使用する複合誘電体層をフィールド酸化膜領域に隣接した複数個の活性区域上に形成する。該複合誘電体層はフィールド酸化膜領域を形成する前に形成し且つ非有孔性窒化シリコン層を有している。この非有孔性窒化シリコン層は、好適には、基板の薄い窒化領域の上側に付着形成させた薄い窒化シリコン層を有する。この窒化シリコン層は、爾後に該複数個の活性区域間にフィールド酸化膜領域を形成する期間中に部分的に酸化される。フィールド酸化膜領域を形成する前に該窒化シリコン層の上に酸化物層を形成することが可能であり、それはフィールド酸化膜を形成する期間中に稠密化される。次いで、この複合誘電体層をパターン形成し且つエッチングして種々の集積回路装置の誘電体部分を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の一部の製造方法において、基板の表面上の複数個の活性領域の上に薄い非有孔性窒化シリコン層を具備する複合層を形成し、ある活性領域の間にフィールド酸化膜領域を形成し、尚このフィールド酸化膜形成期間中に、前記窒化シリコン層の上表面を酸化させ、前記複合層をパターン形成しかつエッチングして装置誘電体を形成する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 21/316
, H01L 21/318
H01L 21/76 M
, H01L 21/94 A
